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STについて > ニュースルーム > すべてのニュース > STマイクロエレクトロニクス、SiCおよびIGBTスイッチング回路を最適化・簡略化するデュアル・ゲート・ドライバを発表

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STマイクロエレクトロニクス、SiCおよびIGBTスイッチング回路を最適化・簡略化するデュアル・ゲート・ドライバを発表

 

STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、IGBTおよびSiC(シリコン・カーバイド)パワーMOSFET向けに、デュアル・チャネルのガルバニック絶縁型ゲート・ドライバ「STGAP2HD」(IGBT)および「STGAP2SICD」(SiCパワーMOSFET)を発表しました。両製品は、高電圧の電力変換アプリケーションや産業アプリケーションにおいて、省スペース化と回路設計の簡略化に貢献します。

ワイドボディのSO-36Wパッケージで提供される「STGAP2HD」および「STGAP2SICD」は、STの最新ガルバニック絶縁技術を活用し、6kVの過渡電圧に対応します。また、±100V/nsの過渡電圧耐性を備え、ノイズの多い動作環境において誤動作によるターンオンを防止します。最大4Aの強力なゲート制御信号を生成し、デュアル出力ピンで柔軟にゲートを駆動できるため、ターンオン / ターンオフ時間を個別に調整可能です。アクティブ・ミラー・クランプ機能により、ハーフ・ブリッジ・トポロジにおける高速スイッチングのゲート・スパイクを防ぎます。

また、過熱保護や、安全な動作を実現するウォッチドッグ、低効率または危険な状態での動作を防止する減電圧ロックアウト(UVLO)機能(各チャネルに搭載)などの保護機能も搭載されています。STGAP2SICDのUVLOしきい値電圧は、高く設定されており、SiCパワーMOSFET向けに最適化されています。

両製品ともにiLOCKピンを備えているため、デュアル・ローサイドおよび非対称ハーフブリッジ・アプリケーションにおいて、両チャネルを同時にオンにすることができます。また、従来型のハーフブリッジ回路で貫通電流を防ぐインターロック機能も搭載されています。両製品の定格電圧は、高電圧電源で最大1200Vとなっており、入力から出力までの伝播時間が75nsと短いため、高精度のPWM制御を実現します。

さらに、専用のシャットダウン端子やブレーキ端子、低消費電力化に貢献するスタンバイ端子を搭載しており、電源や駆動装置、インバータ、溶接機、充電器などのアプリケーションに最適です。両製品の入力回路は、最小3.3VのTTL / CMOSロジックと互換性があり、ホスト・マイクロコントローラやDSPと簡単に接続可能です。

STGAP2HDおよびSTGAP2SICDは現在量産中で、単価は1000個購入時に約1.84ドルです。評価ボード「EVALSTGAP2HDM」および「EVALSTGAP2SICD」も提供されているため、ハーフブリッジ・パワー段を駆動する際のドライバ機能を迅速に評価することができます。

詳細については、ウェブサイトをご覧ください。

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