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2020年05月11日 | Geneva

STマイクロエレクトロニクス、航空宇宙アプリケーションの電力効率を高める耐放射線性ショットキー・ダイオードを発表

  • 堅牢性に優れた整流ダイオードおよび業界初となるシングル・イベント・バーンアウト(SEB)耐性を備えた高電圧ショットキー・ダイオード

STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、ESCC(European Space Components Coordination)認定取得済みの新しい耐放射線性整流ダイオード(耐圧200Vおよび400V)、およびSEB(1) 耐性を備えた耐放射線性ショットキー・ダイオード(耐圧45Vおよび150V)を発表しました。これにより、航空宇宙アプリケーション向け耐放射線性パワー・デバイスの製品ポートフォリオが拡張されました。

耐放射線性ショットキー・ダイオードには45V耐圧と150V耐圧の製品があり、線エネルギー付与(LET)で最大61MeV/cm2/mgのSEB耐性を備えています。また、業界初となるSEB耐性を備えたショットキー・ダイオードであるため、多くの電力変換の回路方式に適しています。150V耐圧製品は100Vの衛星用電源バス、45V耐圧製品は28Vの衛星用電源バスにそれぞれ直接接続することができます。150V耐圧製品の最大順方向電圧(VF)は40A/125°C時で0.78Vで、45V耐圧製品の最大VFは0.61Vです。

耐放射線性ショットキー・ダイオードとして5製品を発表し、そのすべてがESCC認定取得済みの2素子入りカソード共通構成のショットキー・ダイオードです。45V/2x20A定格のダイオード搭載のSTPS40A45CはTO-254AA挿入型パッケージで提供され、45V/2x40A定格のダイオード搭載のSTPS80A45C、150V/2x30A定格のダイオード搭載のSTPS60A150C、および150V/2x40A定格のダイオード搭載のSTPS80A150Cはそれぞれ表面実装型のSMD.5ハーメチック(気密封止)パッケージで提供されます。また、150V/2x20A定格のダイオード搭載のSTPS40A150Cは、TO-254AAパッケージで提供されます。

耐放射線性整流ダイオードでは、TO-254AAパッケージで提供される200V/2x20A定格のダイオード2素子搭載のSTTH40200C、SMD1ハーメチック・パッケージで提供される200V/2x30A定格のダイオード2素子搭載のSTTH60200Cおよび400V/60A定格のダイオード1素子搭載のSTTH60400の3製品を発表しました。

今回発表された耐放射線性整流ダイオードおよびショットキー・ダイオードは、最大3Mrad(Si)の吸収線量(TID)に対する耐性が保証されています。電圧降下は4つの動作電流値に対して保証されており、複数の異なる電源設計に対して一種類のデバイスで対応できるため、設計の簡略化に貢献します。

AEC-Q101準拠の車載グレード製品と同じプレーナ技術を採用したこれらの製品は、STのレンヌ工場(フランス)で製造されており、優れた品質保証を実現しています。同工場で製造された航空宇宙機器用ICは、40年以上の飛行実績にわたり不具合無しの実績を持っています。

今回発表されたすべての製品は、現在入手可能です。価格およびサンプル提供については、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。

詳細については、ウェブサイトをご覧ください。

(1)  SEB:シングルイベント・バーンアウト(Single-Event Burnout)、大電流により半導体素子そのものが破壊されてしまう現象。航空宇宙アプリケーションにおいて、宇宙線など高エネルギーの電離放射線により発生します。