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2021年08月24日 | Geneva

STマイクロエレクトロニクス、最大45W / 150Wの高効率変換を可能にする集積型GaNソリューションを発表

STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、シリコン・ベースのハーフブリッジ・ゲート・ドライバと、
2つのGaN(窒化ガリウム)パワー・トラジスタを集積した世界初のシステム・イン・パッケージ(SiP)「MasterGaN®」に、最大45Wのアプリケーション向けの「MasterGaN3*」および最大150W向けの「MasterGaN5」を追加しました。これらの製品は、高効率の電力変換を実現するワイド・バンドギャップ半導体への移行を簡略化します。

65W~400Wまでのアプリケーションを対象とするMasterGaN1MasterGaN2、およびMasterGaN4に加え、MasterGaN3およびMasterGaN5が追加されたことで、スイッチング電源、充電器、アダプタ、高電圧の力率改善回路(PFC)、DC-DCコンバータなどの設計において、最適なGaN製品およびドライバ・ソリューションをより柔軟に選択することができます。

MasterGaNは、従来のシリコンMOSFETからワイド・バンドギャップ半導体であるGaN技術への移行を簡略化します。2つの650V耐圧GaNパワー・トランジスタ、最適化された高電圧ゲート・ドライバ、および安全性を向上させる保護回路を集積しているため、ゲート・ドライバや回路レイアウトの設計における課題解決に貢献します。また、GaNトランジスタの高いスイッチング周波数により、シリコン・ベースの設計と比較して電源を最大80%小型化できると共に、きわめて優れた堅牢性と信頼性を実現します。

MasterGaN3に搭載された2つの非対称型GaNトランジスタは、それぞれオン抵抗(Rds(on))が225mΩと450mΩで、ソフト・スイッチングや動的整流コンバータに適しています。MasterGaN5に搭載された2つのGaNトランジスタのオン抵抗はいずれも450mΩで、LLC共振やアクティブ・クランプ・フライバックなどのトポロジに適しています。

その他のMasterGaN製品と同様に、両製品のロジック入力は3.3V〜15Vの信号と互換性があるため、マイクロコントローラやDSPユニット、FPGAなどのコントローラ、およびホール・センサといった外付け部品に簡単に接続可能です。また、ローサイドおよびハイサイドの減電圧ロックアウト(UVLO)、ゲート・ドライバのインターロック、過熱保護、シャットダウン端子などの保護機能を内蔵しています。

また、MasterGaN3およびMasterGaN5用の開発ボード「EVALMASTERGAN3」および「EVALMASTERGAN5」も提供されているため、すぐに電源の開発を開始することができます。これらの開発ボードには、単一または相補型の駆動信号を生成する回路が搭載されており、調整可能なデッドタイム・ジェネレータ、個別の入力信号、PWM信号の入力端子、容量性の負荷に必要な外付けのブートストラップ・ダイオード用コネクタ、ピーク電流モード・トポロジ用のローサイド・シャント抵抗挿入用のコネクタなども搭載されています。

MasterGaN3およびMasterGaN5は、高電圧パッドと低電圧パッドの沿面距離が2mmを超える高電圧アプリケーションに最適なGQFNパッケージ(9 x 9 x 1mm)で提供されます。両製品ともに現在量産中で、MasterGaN3の単価は1000個購入時に約6.08ドル、MasterGaN5の単価は1000個購入時に約5.77ドルです。

詳細については、ウェブサイト をご覧ください。

*MasterGaNは、STMicroelectronics International NVもしくはEUおよび / またはその他の地域における関連会社の登録商標または未登録商標です。