STマイクロエレクトロニクス、イタリアに統合型SiCウェハ工場を新設

多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、電動化への移行や、さらなる高効率化が進む自動車および産業機器向けのSiC（炭化ケイ素）デバイスに対する需要の高まりに対応するため、統合型のSiCウェハ製造工場をイタリアに新設することを発表しました。同工場では2023年に生産を開始する予定で、自社生産と外部調達によるバランスの取れたSiCウェハ供給が期待されます。

同工場は、カターニャ（イタリア）の既存SiCデバイス製造工場に併設され、すべての製造フローを統合した、150mm SiCエピタキシャル･ウェハを量産するヨーロッパ初の工場となる予定です。またSTは、次世代の200mm SiCウェハの開発にも注力します。

本プロジェクトは、STのSiC事業に関する垂直統合化戦略を推進する上で重要なステップとなります。5年で7億3,000万ユーロにおよぶ投資は、「再興・回復のための国家計画（PNRR）」の枠組みにおいて、イタリア政府の財政支援を受ける予定で、竣工時には約700名の追加雇用を創出する見込みです。

STの社長 兼 最高経営責任者（CEO）であるJean-Marc Cheryは、次のようにコメントしています。「STは、200億ドルを超える売上を目指す『$20 billion+』構想を推進するため、300mmウェハ製造能力およびワイド･バンドギャップ半導体の強化に焦点を当て、グローバルな製造オペレーションの変革を進めています。当社は、STのパワー半導体専門技術の中心地で、イタリアの研究機関、大学、サプライヤとの強力な連携を通じてSiCの研究･開発･製造を一貫して行っているカターニャ工場において、事業を拡大していきます。新工場は、SiC製造の垂直統合においてきわめて重要な役割を担います。SiCウェハの生産量を増やし、供給を強化することで、車載および産業機器分野における電動化への移行や高効率化をサポートします。」

SiCにおけるSTのリーダーシップは、大規模な重要特許のポートフォリオを含め、25年間にわたる研究開発への注力に基づいています。カターニャ工場は、ST最大のSiC研究開発および製造の中心として、長年にわたり重要なイノベーションの拠点となっており、SiCデバイスの生産能力増強および性能向上に向けた新たなソリューションの開発に貢献してきました。また、STは、大学やイタリア学術会議（CNR）、設備･製品製造に携わる企業をはじめとする様々なステークホルダー、および大規模なサプライヤ･ネットワークとの長期的かつ良好な協力関係など、パワー･エレクトロニクスにおけるエコシステムを確立しています。今回の投資により、カターニャ工場のSiC技術に関する世界的なコンピテンス･センターとしての役割の強化、ならびにさらなる成長が期待されます。

現在、STが量産する最先端のSTPOWER SiCパワー半導体は、カターニャおよびアン･モ･キョ（シンガポール）の自社工場で製造されています。組立ておよびテストは、深セン（中国）とブスクラ（モロッコ）の後工程工場で行われています。今回のSiCウェハ製造工場への投資は、これらの専門性に基づいており、2024年までにウェハの40%を内製化するというSTの目標における重要なマイルストーンとなります。

*2022年10月5日にジュネーブ（スイス）で発表されたプレスリリースの抄訳です。