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05 Oct 2022 | Ginevra (Svizzera)

STMicroelectronics costruirà un impianto integrato per la produzione di substrati in carburo di silicio in Italia

  • L’impianto di produzione di substrati epitassiali* in SiC è il primo di questo tipo in Europa
  • L’integrazione verticale di tutto il flusso produttivo rafforzerà l’approvvigionamento di substrati per i dispositivi e soluzioni in SiC, permettendo ai clienti dei settori automotive e industriale di avanzare verso l’elettrificazione e il raggiungimento di maggiore efficienza

STMicroelectronics, leader globale nei semiconduttori con clienti in tutti i settori applicativi dell’elettronica, costruirà un impianto integrato per la produzione di substrati in carburo di silicio (SiC) in Italia per supportare la domanda crescente di dispositivi SiC per applicazioni automotive e industriali da parte dei clienti ST che mirano a realizzare la transizione verso l’elettrificazione e richiedono maggiore efficienza. Si prevede che la produzione inizi nel 2023 e bilanci l’approvvigionamento di substrati in SiC tra materiali prodotti internamente e acquistati da fornitori esterni.

L’impianto di produzione di substrati in SiC, costruito nel sito ST di Catania accanto allo stabilimento esistente che produce dispositivi in SiC, sarà il primo nel suo genere in Europa per la produzione in volumi di substrati epitassiali in SiC da 150 mm, e integrerà tutti i passaggi del flusso produttivo. ST è impegnata a sviluppare substrati da 200 mm nel prossimo futuro.

Questo progetto rappresenta un passaggio chiave per la progressiva attuazione della strategia di integrazione verticale di ST nelle attività in SiC. L’investimento di 730 milioni di euro in un arco di cinque anni avrà il supporto finanziario dello Stato italiano nell’ambito del Piano Nazionale di Ripresa e Resilienzae, una volta completato, creerà circa 700 nuovi posti di lavoro diretti.

“ST sta trasformando le sue attività produttive globali, con una capacità addizionale nella produzione a 300 mm e una forte focalizzazione sui semiconduttori a larga banda interdetta, a sostegno della sua ambizione di raggiungere i 20 e oltre miliardi di dollari di ricavi. Stiamo ampliando le nostre attività operative a Catania, il centro delle nostre competenze nei semiconduttori di potenza e dove abbiamo già integrato attività di ricerca, sviluppo e produzione per il SiC in stretta collaborazione con istituti di ricerca italiani, università e fornitori,” ha dichiarato Jean-Marc Chery, President & Chief Executive Officer di STMicroelectronics. “Questo nuovo impianto sarà fondamentale per la nostra integrazione verticale nel SiC, ampliando la nostra fornitura di substrati in SiC in una fase in cui aumenteremo ulteriormente i volumi per sostenere la transizione da parte dei nostri clienti dei settori automotive e industriale verso l’elettrificazione e maggiore efficienza”.  

*La crescita epitassiale (o semplicemente epitassia) è il primo step di processo che si realizza sul substrato per fabbricare i dispositivi di potenza e determina le caratteristiche finali del dispositivo che si intende fabbricare.

La leadership di ST nel SiC è il risultato di 25 anni di specializzazione e impegno in attività di R&S, testimoniati da un ampio portafoglio brevettuale in processi chiave. Catania è da tempo per ST un sito importante per l’innovazione in quanto ospita il più grande centro di R&S e produzione per il SiC, e contribuisce con successo allo sviluppo di nuove soluzioni per produrre dispositivi in SiC in quantità maggiori e qualità migliore. Con un ecosistema consolidato nell’elettronica di potenza, che include una proficua collaborazione a lungo termine tra ST e diversi stakeholder (l’Università, il CNR e aziende coinvolte nella produzione di apparecchiature e prodotti) oltre a una vasta rete di fornitori, questo investimento rafforzerà il ruolo di Catania come centro di competenza globale nella tecnologia del carburo di silicio e per nuove opportunità di crescita.

I prodotti avanzati STPOWER in SiC di ST sono attualmente prodotti in volumi elevati negli stabilimenti di Catania e Ang Mo Kio (Singapore). Le attività di assemblaggio e collaudo si svolgono nei siti di back-end di Shenzhen (Cina) e Bouskoura (Marocco). L’investimento in questo impianto di produzione di substrati in SiC si fonda su queste competenze e rappresenta per ST un passo significativo verso l’approvvigionamento interno del 40% delle fette in SiC entro il 2024.

Alcune informazioni su STMicroelectronics
In ST, siamo 48 mila creatori e costruttori di tecnologie a semiconduttore e governiamo la catena di fornitura nei semiconduttori con siti manifatturieri allo stato dell’arte. Come produttore integrato di dispositivi, lavoriamo con più di 200 mila clienti e migliaia di partner per progettare e costruire prodotti, soluzioni ed ecosistemi che rispondono alle loro sfide e opportunità, e alla necessità di supportare un mondo più sostenibile. Le nostre tecnologie consentono una mobilità più intelligente, una gestione più efficiente della potenza e dell’energia e il dispiegamento su larga scala dell’Internet of Things e la connettività. ST è impegnata a diventare carbon neutral entro il 2027. Per ulteriori informazioni consultare il sito www.st.com.

Per ulteriori informazioni, contattare:

RELAZIONI CON GLI INVESTITORI
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Group VP, Investor Relations
Tel: +41 22 929 5812
Celine.berthier@st.com

RELAZIONI CON LA STAMPA
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Direttore relazioni pubbliche e con i media, Italia
Tel : +39 039 6035113
STMicroelectronics.ufficiostampa@st.com