STマイクロエレクトロニクス、性能指数が40%向上した産業用100V耐圧パワーMOSFETを発表

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、100V耐圧のNチャネル型パワーMOSFET「STL120N10F8」を発表しました。同製品は、ゲート･ドレイン間電荷（QGD）とオン抵抗（RDS(on)）がきわめて低く、同等の従来製品と比べて性能指数（オン抵抗 x ゲート電荷）が40%向上しています。

STL120N10F8には、STの先進的なSTPOWER STripFET F8 酸化膜充填トレンチ技術が活用されており、きわめて低い伝導損失と低ゲート電荷によって効率的なスイッチングを実現します。そのため、最大オン抵抗が4.6mΩ（VGS = 10V）と低く、600kHzまでのスイッチング周波数で効率的に動作可能です。

また、STripFET F8技術により適切な出力容量が保証され、ドレイン･ソース間の電圧スパイク防止やエネルギー損失の最小化に貢献します。ボディ･ダイオードのソフト･リカバリ特性によって電磁干渉（EMI）が低減されるため、製品規格に準拠した最終システムの電磁両立性（EMC）試験を簡単に行うことができます。

STL120N10F8は、高効率およびEMIの低減により、ハードスイッチング / ソフトスイッチング･トポロジ両方において電力変換性能の向上に貢献します。さらに、STPOWER 100V耐圧 STripFET F8 パワーMOSFETとして初めて、産業グレード仕様に完全に準拠しています。そのため、モータ制御アプリケーションや、通信 / コンピュータ･システム向け電源やコンバータ、LED / 低電圧照明などに最適です。コンスーマ機器やバッテリ駆動機器にも適しています。

STL120N10F8は、ゲートしきい値電圧（VGS(th)）が厳密に制御されているため、複数のMOSFETの並列接続による大電流への対応を簡略化します。また、きわめて堅牢で、10µs以内のパルスに対して最大800Aの短絡電流に耐えることができます。

STL120N10F8は現在量産中で、PowerFLAT5x6パッケージで提供されます。1000個購入時の単価は約1.04ドルです。

詳細については、ウェブサイトをご覧ください。