STマイクロエレクトロニクス、初の200mm SiCウェハ製造を発表

多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、ノルショーピン（スウェーデン）の自社施設において、次世代パワー半導体の試作開発用に初の200mm（8インチ）SiC（炭化ケイ素）バルク･ウェハを製造したことを発表しました。200mm SiCウェハへの移行は、車載･産業分野におけるSTの顧客プログラム向けの生産能力を強化する上で、重要なマイルストーンになります。また、パワー･エレクトロニクスの小型･軽量化、高効率化、および低コスト化を可能にする革新的な技術として、STの市場における主導的地位をより強固なものにします。

世界でもきわめて早い段階で実現された STの200mm SiCウェハは、高い品質を備えると共に、歩留まりに影響する不良や結晶転位による欠陥が最小限に抑えられています。この低不良率は、STMicroelectronics Silicon Carbide AB（前Norstel AB、2019年にSTが買収）によって培われたSiCインゴット成長技術における優れたノウハウと専門性に基づいて実現されています。200mm SiCウェハへの移行には、品質課題への対応に加え、製造装置や製造をサポートするエコシステムの全体的な性能向上が求められます。STは、サプライ･チェーン全体を通して技術パートナーと協力し、独自の200mm SiCウェハ製造装置およびプロセスを開発しています。

STは現在、最先端のSiC製品「STPOWER」の量産をカターニャ工場（イタリア）とアンモキョ工場（シンガポール）の150mmウェハ製造ラインで行い、後工程の組立ておよびテストを深セン工場（中国）とブスクラ工場（モロッコ）で行っています。今回のウェハ製造は、コスト効率に優れた先進的な200mm SiCウェハの量産に向けたSTの取り組みにおける1つのマイルストーンとなります。STは、2024年までに新しいSiCウェハ工場を建設し、SiCウェハの40%超を自社製造するという計画のもと、200mm SiCウェハへの移行を進めています。

STのオートモーティブ & ディスクリート･グループ社長であるMarco Montiは、次のようにコメントしています。「200mm SiCウェハへの移行は、システムや製品の電動化を進める車載･産業分野のお客様に対して大きなメリットを提供します。また、製品数の増加に伴い、規模の経済を促進する上でも重要となります。STは、高品質のSiCウェハから大規模な前工程･後工程製造まで、製造チェーン全体にわたって社内のSiCエコシステムに強固なノウハウを構築しています。これにより、柔軟性が高まり、ウェハの歩留まりと品質の向上をより適切に管理することができます。」

注記

SiC（炭化ケイ素）は、急成長を続けるeモビリティや産業プロセス向けの主要なパワー･アプリケーションにおいて、シリコンを上回る性能や効率を発揮する化合物半導体材料です。SiCにおけるSTのリーダーシップは、25年間にわたる研究開発への注力に基づいており、70件以上の特許を取得しています。SiC技術は、車載および産業システムにおいて重要となる電力変換の高効率化、設計の小型･軽量化、およびシステム全体のコスト削減に大きく貢献する革新的な技術です。200mmウェハは、150mmウェハと比較してほぼ2倍の面積を集積回路の製造に使用することができ、1.8倍～1.9倍の良品チップを製造することができます。そのため、生産能力の強化に貢献します。