STマイクロエレクトロニクス、表面実装型ACEPACK SMITパッケージで発熱を抑えた車載グレード対応パワー・モジュールを発表

多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、代表的な回路構成の車載用 STPOWER パワー･モジュール5製品を発表しました。これらの製品は、従来のTOパッケージと比べて基板への実装が容易で、高電力密度を実現するSTの先進的なACEPACK™ SMITパッケージで提供されます。

今回発表された5製品は、650V耐圧ハーフブリッジMOSFET「SH68N65DM6AG」および「SH32N65DM6AG」、600V耐圧ファストリカバリ･ダイオードで構成される全波ブリッジ整流器「STTH60RQ06-M2Y」、1200V半制御単相AC-DCブリッジ整流器「STTD6050H-12M2Y」、および1200Vサイリスタ制御ブリッジ･レッグです。いずれも車載 / 産業機器の両方に対応し、産業用電力変換や、電気自動車のオンボード･チャージャ（OBC）、DC-DCコンバータなどに最適です。すべてAEC-Q101に準拠し、PPAPの対応も可能です。

STの表面実装型ACEPACK SMITパッケージは、熱効率に優れた露出型ドレイン構造を採用した使いやすい絶縁型パッケージです。DBC（Direct Bonded Copper）によるダイ接着が可能で、効率的な上面冷却を実現します。また、上面に4.6cm2の金属面が露出しているため、平面型のヒートシンクを簡単に取り付け可能です。これにより、薄型化しつつ放熱性を最大限に高め、高出力時でも高い信頼性を実現します。モジュールとヒートシンクは、自動インライン装置を使用して実装できるため、設計工数の削減と生産性の向上に貢献します。

ACEPACK SMITは、スタック高を最小化し電力密度を向上させるとともに、上面冷却設計と32.7mm x 22.5mmのパッケージ･サイズにより、6.6mmのリード間沿面距離を実現しています。タブ / リード間の絶縁電圧は4500Vrmsです。また、寄生インダクタンスおよび寄生容量が低いことも特徴です。

650V耐圧 MDmesh DM6シリーズ ハーフブリッジMOSFET「SH68N65DM6AG」および「SH32N65DM6AG」は、AQG-324に準拠しています。最大オン抵抗は、SH68N65DM6AGが41mΩ、SH32N65DM6AGが97mΩで、高い電力効率と低熱損失を実現しています。OBCおよび高電圧 / 低電圧間のDC-DCコンバータに最適です。また、幅広いアプリケーションに使用できるため、在庫の効率化や調達の簡略化にも貢献します。

600V / 60A 全波ブリッジ整流器「STTH60RQ06-M2Y」は、ソフト･リカバリ特性を備えたファストリカバリ･ダイオード4個で構成されています。

1200V / 60A半制御単相AC-DCブリッジ整流器「STTD6050H-12M2Y」は、一般整流ダイオードとサイリスタ各2個で構成され、1000V/μsという高いノイズ耐性（dV/dt）を備えています。

STTN6050H-12M1Yは、直列に接続された2個のサイリスタ（SCR：シリコン制御整流子）で構成される1200V / 60Aハーフブリッジです。OBCや充電ステーションのほか、モータ･ドライブや電源のAC-DC変換、単相 / 三相制御整流ブリッジ、トーテムポールPFC（力率改善）回路、ソリッドステート･リレーなどの産業用アプリケーションに使用可能です。

現在、5製品すべてが量産中で、1000個購入時の単価はSTTH60RQ06-M2YおよびSTTN6050H-12M1Yが約10ドル、STTD6050H-12M2YおよびSH32N65DM6AGが約12ドル、SH68N65DM6AGが約18ドルです。

詳細については、ウェブサイトをご覧ください。