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2022年05月09日 | Geneva

STマイクロエレクトロニクス、電力密度と効率を向上した新しいパワーMOSFETを発表

多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、スーパー・ジャンクション型のNチャネル・マルチドレインSi(シリコン)パワーMOSFET「STPOWER MDmesh M9シリーズ」および「DM9シリーズ」を発表しました。これらの製品は、データ・センター用サーバや5G通信基地局、フラット・パネルTVなど、幅広いアプリケーションのスイッチング電源(SMPS)に最適です。

MDmesh M9 / DM9シリーズ初の製品となる「STP65N045M9」(650V耐圧)および「STP60N043DM9」(600V耐圧)は、いずれも単位面積あたりのオン抵抗(RDS(on))が極めて低いため、電力密度の最大化や小型システムの実現に貢献します。最大オン抵抗は、STP65N045M9が45mΩ、STP60N043DM9が43mΩで、きわめて優れた性能を備えています。また、両製品ともにドレイン電圧400Vにおけるゲート電荷(Qg)が80nC(Typ.)と非常に低く、現在STから提供されている製品において、最高のスイッチング性能(オン抵抗 x ゲート電荷)を備えています。

ゲートしきい値電圧(VGS(th))は、STP65N045M9で3.7V(Typ.)、STP60N043DM9で4.0V(Typ.)となっており、従来製品であるMDmesh M5シリーズやM6 / DM6シリーズと比べ、ターンオン / オフ時のスイッチング損失を最小化することができます。また、MDmesh M9 / DM9シリーズは、逆回復電荷(Qrr)と逆回復時間(trr)が極めて低いため、電力効率およびスイッチング性能の向上に貢献します。

STの最新の高電圧MDmesh技術は、高速の内蔵ボディ・ダイオードを実現する追加の白金拡散プロセスを特徴とし、従来のプロセスよりも高いノイズ耐性(dV/dt)を実現しています。また、MDmesh DM9技術を採用した製品は非常に堅牢で、400Vで最大120V/nsのノイズ耐性(dv/dt)を備えています。

「STP65N045M9」および「STP60N043DM9」は現在量産中で、両製品ともにTO-220パッケージで提供されます。2022年第2四半期末に販売代理店での販売を開始する予定で、STP65N045M9の単価は1000個購入時に約6.30ドルです。2022年後半には、表面実装型パッケージとスルーホール型の標準パッケージンも追加される予定です。

詳細については、ウェブサイトをご覧ください。