STマイクロエレクトロニクス、SiCパワーMOSFETを安全に制御する絶縁型ゲート･ドライバを発表

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、絶縁型ゲート･ドライバ「STGAPファミリ」に新製品であるSTGAP2SiCSを追加しました。同製品は、SiCパワーMOSFETを安全に制御するために最適化され、最大1200Vの高電圧レールで動作します。

STGAP2SiCSは、最大26Vのゲート駆動電圧を生成でき、減電圧ロックアウト（UVLO）のしきい値が15.5Vと高いため、SiCパワーMOSFETのターンオン条件を満たすことができます。電源電圧の低下に伴って駆動電圧がきわめて低くなった場合は、UVLOによりMOSFETを確実にターンオフさせ、過度な損失を防止します。ドライバに搭載されたデュアル入力ピンにより、ゲート駆動信号の極性を選択することも可能です。

また、入力部とゲート駆動出力との間に6kVのガルバニック絶縁を内蔵しており、コンスーマ機器および産業機器において安全性の向上に貢献します。4Aの出力シンク / ソース性能を備えているため、中パワーおよび高パワーのコンバータや電源のほか、ハイエンドの生活家電、産業用ドライバ、ファン、誘導加熱器（IH）、溶接機、UPS（無停電電源装置）などの機器に搭載されたインバータに最適です。

出力は、2つの異なる設定が可能です。1つは、専用のゲート抵抗を使用してターンオン時間とターンオフ時間を個別に最適化できる個別出力ピンの設定です。もう1つは、出力ピン1つと、SiCパワーMOSFETのゲート･ソース間電圧の発振を制限するアクティブ･ミラー･クランプとで構成された高周波ハード･スイッチング用の設定で、不要なターンオンを防止し、信頼性を向上させます。入力回路は最小3.3VまでのCMOS/TTLロジックと互換性があり、幅広い制御用ICと簡単に接続可能です。

STGAP2SiCSは、スタンバイ･モードによってシステム全体の消費電力を削減できるほか、ハードウェア･インターロックなどの内蔵の保護機能により、低電圧部と高電圧駆動チャネルの両方において貫通電流保護とサーマル･シャットダウンを実現します。低電圧部と高電圧部の伝搬遅延がマッチングされているため、デューティ･サイクルの歪みを防止し、電力損失を最小限に抑えます。全体の遅延も75ns以下のため、高速スイッチング周波数での正確なパルス幅変調（PWM）制御が可能です。

STGAP2SiCSは、小さな実装面積に8mmの沿面距離を確保したワイドボディSO-8Wパッケージで提供され、単価は1000個購入時に約2.00ドルです。

詳細については、ウェブサイトをご覧ください。