STマイクロエレクトロニクス、 ゲート・ドライバとGaN パワー･トランジスタを集積した 非対称型トポロジ向けのSiPを発表

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、シリコン・ベースのハーフブリッジ･ゲート・ドライバと、2つのGaN（窒化ガリウム）パワー・トラジスタを集積した世界初のシステム・イン・パッケージ（SiP）「MasterGaN®」に、非対称型トポロジ向けの新製品であるMasterGaN2を追加しました。同製品は、2個の非対称型GaNトランジスタを搭載し、ソフト･スイッチングや動的整流コンバータ･トポロジに適したGaNソリューションを提供します。

MasterGaN2に搭載された2個の650Vノーマリー･オフ型GaNトランジスタは、それぞれオン抵抗（RDS（on））が150mΩと225mΩで、最適化されたゲート･ドライバが結合されています。そのため、一般的なシリコン・ベースの製品と同様に、簡単に使用することが可能です。先進的な集積技術とGaN特有の優れた性能を組み合わせることで、アクティブ･クランプ･フライバックなどのトポロジにおいて、さらなる効率向上、小型化、および軽量化を実現します。

MasterGaNは、2個のGaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）と高耐圧ゲート･ドライバを1パッケージに集積しており、必要な保護メカニズムをすべて内蔵しています。また、マイクロコントローラ、DSPユニット、FPGAなどのコントローラ、およびホール・センサといった外付け部品に簡単に接続可能です。ロジック入力は3.3V～15Vの信号と互換性があるため、回路設計を簡略化による部品コストの削減や、実装面積の小型化、および組立工程の効率化に貢献します。これにより、アダプタや高速充電器の電力密度が向上します。

GaN技術は、USB-PDアダプタやスマートフォン充電器の高速化を実現します。MasterGaNは、一般的なシリコン・ベースのソリューションと比較して、充電器とアダプタで最大80%の小型化と70%の軽量化、および3倍の充電速度を実現します。

MasterGaN2は、ローサイドおよびハイサイドの減電圧ロックアウト（UVLO）、ゲート･ドライバのインターロック、専用シャットダウン端子、および過熱保護などの保護機能を内蔵しています。また、高電圧パッドと低電圧パッドの沿面距離が2mmを超える高電圧アプリケーションに最適なGQFNパッケージ（9 x 9 x 1mm）で提供されます。

MasterGaN2は現在量産中で、単価は1000個購入時に約6.50ドルです。

詳細については、ウェブサイトをご覧ください。