STMicroelectronics fait progresser les solutions de puissance pour l’architecture 800 VDC destinées aux usines d’IA de nouvelle génération
- La solution s’appuie sur le portefeuille de circuits intégrés de puissance de ST en associant les technologies SiC (carbure de silicium), GaN (nitrure de gallium) et silicium à une conception personnalisée avancée à la fois au niveau du circuit intégré et du boîtier.
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STMicroelectronics (NYSE : STM), un leader mondial des semiconducteurs dont les clients couvrent toute la gamme des applications électroniques, a dévoilé un prototype complet de son nouveau système d’alimentation de puissance, dans le cadre du développement de nouvelles conceptions de puces capables de prendre en charge l’architecture d’alimentation VDC annoncée par NVIDIA pour les data centers d’IA de nouvelle génération.
La croissance rapide des charges de travail liées à l’intelligence artificielle génère des besoins de puissance sans précédent dans les data centers. Conçus pour des racks à l’échelle du kiloWatt, les systèmes traditionnels de distribution électrique à 54 V ne suffisent plus aux exigences des racks de calcul d’IA qui requièrent une puissance de l’ordre du mégaWatt (MW). Pour y remédier, NVIDIA collabore avec l’écosystème autour de l’architecture d’alimentation 800 VDC, capable de prendre en charge des racks de calcul à l’échelle du mégawatt tout en améliorant l’efficacité, en réduisant l’utilisation de cuivre et en simplifiant l’infrastructure.
STMicroelectronics développe activement les technologies microélectroniques indispensables pour les architectures 800 VDC, en s’appuyant sur son portefeuille diversifié de circuits de puissance qui combine les technologies SiC (carbure de silicium), GaN (nitrure de gallium) et silicium ainsi qu’une conception personnalisée avancée à la fois au niveau du circuit intégré et du boîtier.
Lors du sommet OCP 2025, ST a annoncé une étape importante avec le développement d’une carte d’alimentation compacte de 12 kW dont la taille est proche de celle d’un smartphone. Fonctionnant sous une tension d’entrée de 800 V et à une fréquence de découpage de 1 MHz, le convertisseur LLC 12 kW basé sur la technologie GaN a franchi avec succès les tests à pleine puissance, délivrant une puissance de sortie continue de 12 kW pour un rendement supérieur à 98 % et une densité de puissance dépassant 2 600 W/in³ à 50 V.
Cette solution permet de relever les défis fondamentaux que constituent la densité de puissance, le rendement, la gestion thermique et la fiabilité, qui sont essentiels pour le déploiement de racks de calcul d’IA à l’échelle du mégawatt, tout en réduisant la complexité de l’infrastructure et en abaissant le coût total de possession. Il s’agit d’une étape majeure vers la prochaine génération de data centers d’IA hyperscale.
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À propos de STMicroelectronics
Chez ST, nous sommes 50 000 créateurs et fabricants de technologies microélectroniques. Nous maîtrisons toute la chaine d’approvisionnement des semiconducteurs avec nos sites de production de pointe. En tant que fabricant intégré de composants, nous collaborons avec plus de 200 000 clients et des milliers de partenaires. Avec eux, nous concevons et créons des produits, des solutions et des écosystèmes qui répondent à leurs défis et opportunités, et à la nécessité de contribuer à un monde plus durable. Nos technologies permettent une mobilité plus intelligente, une gestion plus efficace de l’énergie et de la puissance, ainsi que le déploiement à grande échelle d’objets autonomes connectés au cloud. Nous sommes en bonne voie pour être neutres en carbone pour toutes les émissions directes et indirectes (scopes 1 et 2), le transport des produits, les voyages d’affaires et les émissions liées aux déplacements des employés (notre objectif pour le scope 3), et pour atteindre notre objectif de 100 % d’approvisionnement en électricité renouvelable d’ici la fin 2027.
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