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意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列的性能和价值

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媒体关系

Fiona Zhu
意法半导体中国区企业公关
电话:10 5797 9343
fiona.zhu@st.com

意法半导体的MasterGaN1LMasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片,利用宽禁带半导体技术简化电源设计,实现最新的生态设计目标。

 

意法半导体的MasterGaN产品家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(HEMT)与优化的栅极驱动器、系统保护功能,以及在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能省去了设计者处理GaN晶体管栅极驱动开发难题。这两款产品采用紧凑的电源封装,提高了可靠性,减少了物料成本,简化了电路布局。

 

这两款新器件内置两个连接成半桥的GaN HEMT晶体管,这种配置适合开发采用有源箝位反激式转换器、有源箝位正激式转换器或谐振式转换器拓扑的开关式电源、适配器和充电器。MasterGaN1L和MasterGaN4L分别与MasterGaN1和MasterGaN3引脚兼容。与早期的产品相比,新产品重新优化了导通时间,支持更高的开关频率,在低负载的情况取得更高的能效,能效提高在谐振拓扑中尤为明显。

 

输入引脚接受3.3V至15V的信号电压,输入滞后和下拉电阻有助于输入直连控制器,例如,微控制器、DSP信号处理器或霍尔效应传感器。专用关断引脚有助于设计者节省系统功率,两个GaN HEMT晶体管的时序匹配精准,集成一个互锁保护电路,防止桥臂上的开关管交叉导通。

 

MasterGaN1L HEMT的导通电阻RDS(on)为150mΩ,额定电流为10A,适合最高功率500W的应用。空载功耗只有20mW,支持高转换效率,使设计者能够满足行业严格的待机功耗和平均能效目标。MasterGaN4L HEMT定位最高功率200W的应用,导通电阻RDS(on)为225mΩ,额定电流为6.5A。

 

EVLMG1LPBRDR1EVLMG4LPWRBR1演示板现已上市,有助于开发者评估每款产品的功能。这两块板子集成一个针对LLC应用优化的GaN半桥功率模组,方便开发者利用MasterGaN1L和MasterGaN4L器件快速创建新的拓扑结构,而无需使用完整的PCB设计。

这两款器件均已量产,采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封装。

 

详情访问 www.st.com/mastergan1l

 

关于意法半导体

意法半导体拥有5万名半导体技术的创造者和创新者,掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家半导体垂直整合制造商(IDM),意法半导体与二十多万家客户、成千上万名合作伙伴一起研发产品和解决方案,共同构建生态系统,帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇,满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能,让电源和能源管理更高效,让云连接的自主化设备应用更广泛。意法半导体承诺将于2027年实现碳中和(在范围1和2内完全实现碳中和,在范围3内部分实现碳中和)。详情请浏览意法半导体公司网站:www.st.com。

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