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2022年06月20日 | Geneva

意法半导体推出40V STripFET F8 MOSFET晶体管,具备更好的节能降噪特性

STマイクロエレクトロニクス(NYSE STM、以下ST)は、40V耐圧パワーMOSFET「STL320N4LF8」および「STL325N4LF8AG」を発表しました。同製品は、低オン抵抗および低スイッチング損失を特徴とし、ボディ・ダイオードの特性を最適化しています。また、消費電力の削減に貢献するとともに、電力変換 / モータ制御 / 配電回路において低ノイズを実現します。

「STL320N4LF8」および「STL325N4LF8AG」は、40V耐圧のエンハンスメント型NチャネルMOSFETで、最新世代のSTPOWER STripFET F8 酸化膜充填トレンチ技術を活用して優れた性能を実現しています。ゲート・ソース間電圧(VGS)10V時の最大オン抵抗(Rds(on))は、STL320N4LF8が0.8mΩ、STL325N4LF8AGが0.75mΩです。ダイ面積あたりのオン抵抗がきわめて低いため、小型かつ放熱効率に優れたPowerFLAT 5 x 6パッケージで提供されます。

STの先進的なSTripFET F8技術は、低いデバイス静電容量により、ゲート・ドレイン間電荷などの動的パラメータを最小限に抑えます。これにより、高速スイッチングが可能になり、高いシステム効率が実現されます。スイッチング周波数を600kHz~1MHzの範囲内で選択できるため、容量性部品や磁気部品の小型化によって回路サイズや部品数の削減、および最終アプリケーションにおける電力密度の向上に貢献します。

適切な出力容量と等価直列抵抗により、ドレイン・ソース間の電圧スパイクが防止され、ターンオフ時の減衰振動時間が短縮されます。また、ボディ・ダイオードのソフト・リカバリ特性により、競合製品と比べてきわめて低い電磁干渉(EMI)を実現します。ダイオードの逆回復電荷が低く抑えられているため、ハード・スイッチング・トポロジにおけるエネルギー損失が最小化されています。

両製品ともに、ゲートしきい値電圧(VGS(th))が厳密に制御されており、製品個体間でのばらつきが小さいため、複数のMOSFETの並列接続による大電流への対応を簡略化します。また、優れた短絡保護により、最大1000Aの電流耐性(パルス幅10μs未満)を実現します。

STPOWER パワーMOSFET STripFET F8シリーズ初の製品であるSTL320N4LF8(産業グレード)およびSTL325N4LF8AG(AEC-Q101対応)は、コンピューティング、通信、照明、および電力変換アプリケーションのバッテリ駆動機器に最適です。

STL320N4LF8およびSTL325N4LF8AGは現在量産中です。1000個購入時の単価は、STL320N4LF8が約1.29ドル、STL325N4LF8AGが約1.40ドルです。

詳細については、ウェブサイトをご覧ください。