STMicroelectronics e Innoscience firmano accordo per sviluppo e produzione di tecnologia GaN

STMicroelectronics, leader globale nei semiconduttori con clienti in tutti i settori applicativi dell’elettronica, e Innoscience, il leader mondiale nella manifattura di GaN su Si (nitruro di gallio su silicio) su fette a 8 pollici ad alte prestazioni e basso costo, hanno annunciato la firma di un accordo per lo sviluppo e produzione di tecnologia GaN che fa leva sui punti di forza di ciascuna Società per ottimizzare le soluzioni di potenza in GaN e la resilienza della filiera.

Le società hanno concordato un’iniziativa di sviluppo congiunto circa la tecnologia di potenza GaN per far progredire il futuro promettente della potenza in GaN per elettronica di consumo, data center, automotive e sistemi di potenza industriale e molte altre applicazioni nei prossimi anni. Inoltre, l’accordo consente a Innoscience di utilizzare la capacità manifatturiera di front-end di ST al di fuori della Cina per le proprie fette in GaN, mentre ST può far leva sulla capacità manifatturiera di front-end in Cina di Innoscience per le proprie fette in GaN. L’ambizione comune è per ciascuna Società quella di espandere la propria offerta individuale in GaN con flessibilità e resilienza della filiera per disporre di tutto ciò che chiedono i clienti in una vasta gamma di applicazioni.

Marco Cassis, President, Analog, Power & Discrete, MEMS and Sensors di STMicroelectronics ha dichiarato: “ST e Innoscience sono entrambi produttori integrati di dispositivi, e con questo accordo faremo leva su questo modello a beneficio dei nostri clienti nel mondo. Innanzitutto, ST farà accelerare la propria roadmap per la tecnologia di potenza in GaN a complemento della propria offerta in Silicio e in Carburo di Silicio. Inoltre, ST sarà in grado di capitalizzare un modello di manifattura flessibile per essere al servizio dei clienti nel mondo”.

Dr. Weiwei Luo, Presidente e Co-fondatore di Innoscience, ha affermato: “La tecnologia GaN è fondamentale per migliorare l’elettronica, creando sistemi più piccoli e più efficienti che risparmiano elettricità, abbassano i costi e riducono le emissioni di CO2. Innoscience è stato un pioniere della produzione in volumi di tecnologia in GaN a 8 pollici ed ha spedito più di un miliardo di dispositivi GaN in diversi mercati. Siamo entusiasti di aderire ad una collaborazione strategica con ST. La collaborazione congiunta fra ST e Innoscience si espanderà ulteriormente e accelererà l’adozione di tecnologia GaN. Insieme, i team di Innoscience e ST svilupperanno le prossime generazioni di tecnologia GaN”.

I dispositivi di potenza in GaN sfruttano le proprietà fondamentali del materiale che rendono possibili nuovi standard di performance del sistema nella conversione di potenza, controllo motore e attuazione, offrendo perdite significativamente minori, che permettono efficienza potenziata, dimensioni minori, e peso inferiore, riducendo così il costo e l’impronta di carbonio complessivi della soluzione; questi dispositivi vengono rapidamente adottati nell’elettronica di consumo, negli alimentatori dei data center e industriali, e negli inverter solari, e vengono attivamente progettati nei gruppi propulsori dei veicoli elettrici di prossima generazione, grazie ai vantaggi che offrono in termini di riduzione delle dimensioni e del peso.

Alcune informazioni su STMicroelectronics
In ST, siamo 50 mila creatori e costruttori di tecnologie a semiconduttore e governiamo la catena di fornitura nei semiconduttori con siti manifatturieri allo stato dell’arte. Come produttore integrato di dispositivi lavoriamo con più di 200 mila clienti e migliaia di partner per progettare e costruire prodotti, soluzioni ed ecosistemi che rispondono alle loro sfide e opportunità, e alla necessità di supportare un mondo più sostenibile. Le nostre tecnologie consentono una mobilità più intelligente, una gestione più efficiente della potenza e dell’energia e il dispiegamento su larga scala di oggetti autonomi connessi al cloud. Siamo in linea con i tempi per essere carbon neutral rispetto a tutte le emissioni dirette e indirette (Scope 1 e 2), al trasporto dei prodotti, ai viaggi di lavoro e alle emissioni dei dipendenti pendolari (il nostro focus di Scope 3) e per raggiungere il nostro obiettivo di approvvigionamento di elettricità al 100% da fonti rinnovabili entro la fine del 2027. Per ulteriori informazioni consultare il sito www.st.com.

Alcune informazioni su Innoscience
Innoscience (HKEX 02577.HK) è leader globale nell’innovazione dei processi di nitruro di gallio e nella produzione di dispositivi di potenza. La progettazione e le prestazioni dei dispositivi di Innoscience stabiliscono lo standard mondiale per il GaN e la cultura del miglioramento continuo accelererà le prestazioni del GaN e l’adozione sul mercato. I prodotti al nitruro di gallio dell’azienda sono utilizzati in diverse applicazioni a bassa, media e alta tensione, con nodi di processo GaN che coprono da 15V a 1200V. Wafer, dispositivi discreti, circuiti integrati di potenza e moduli forniscono ai clienti soluzioni GaN robuste. Con 800 brevetti concessi o in corso di concessione, i prodotti di Innoscience sono noti per l’affidabilità, le prestazioni e la funzionalità nei settori dell’elettronica di consumo, dell’elettronica per l’auto, dei data center, dell’energia rinnovabile e della potenza industriale. Innoscience crea un futuro luminoso per il GaN. Per ulteriori informazioni, visitare il sito www.innoscience.com.